Конструкция полупроводникового диода

Автор: arkozwea от 04.07.2017, 00:22, посмотрело: 432

Распределение носителей и заряда в контактной области во время восстановления зарядов этой области. Поскольку площадь р-n-перехода мала, то обратный ток невелик, однако участок насыщения практически не выражен и за счет токов утечки и термогенерации обратный ток равномерно возрастает. К этому времени из базы экстрагируется основная часть накопленного заряда.

Конструкция полупроводникового диода прикажете

Неидеальность переходов характеризуется добротностями Вp и Вn , которые являются сложными функциями параметров р - и n - контактных областей и напряжения на переходах. Если направить ток в обратную сторону изменить полярность , то электроны практически не будут двигаться к катоду из-за отсутствия нити накаливания в аноде.

Конструкция полупроводникового диода фраза

Германиевые диоды лучше кремниевых тем, что имеют меньшее прямое падение напряжения. При эпитаксии вследствие автолегирования и диффузии примеси из подложки на границе раздела между низкоомной и высокоомной областями пластины образуется переходной слой с переменной концентрацией примеси.

Конструкция полупроводникового диода

Это значит, что параметры всех диодов не превышает а в случае частоты — не ниже заданного техническими условиями значения. Фотодиоды могут работать в двух режимах:

Конструкция полупроводникового диода пробовали поискать

Рисунок 3 К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцепторной примеси, и через неё пропускают импульсы тока силой до 1А. В отличии от существующей теории мы рассматриваем векторы напряженностей, а не разностей потенциалов. Полупроводниковые диоды, прямое и обратное включение, вах:

Конструкция полупроводникового диода спам

Электровакуумные ламповые диоды, представляют собой лампу с двумя электродами внутри, один из которых имеет нить накаливания, таким образом подогревая себя и создавая вокруг себя магнитное поле. Пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости так называемый запирающий слой обычно достигает толщины порядка десятков и сотен межатомных расстояний.

Конструкция полупроводникового диода отказалась

При эпитаксии для уменьшения толщины переходного слоя между низкоомной подложкой и высокоомной пленкой принимают меры, снижающие эффект автолегирования. Теперь анализ работы ДЕ распадается на несколько частей:

Конструкция полупроводникового диода этим

Рекомбинация связана с выделением энергии. При прямом смещении, начиная с некоторой величины Iпр , импеданс слабо зависит от тока.

Конструкция полупроводникового диода вопрос Замечательно

На рисунке 36 показаны ВАХ диодов основного перехода. При этом диод довольно сильно нагревается.

Конструкция полупроводникового диода нужные

В прямом включении диод обладает малым электросопротивлением и хорошо проводит электрический ток. В этом диапазоне плотностей тока коэффициенты инжекции переходов существенно отличаются от единицы, то есть происходит инжекция основных носителей заряда из базы в низкоомные области p-i-n-структур. Рекомбинация электрона и дырки соответствует переходу электрона из энергетического уровня Ее в энергетическое состояние уровня Еу с меньшим запасом энергии.

Конструкция полупроводникового диода извиняюсь

В германии и кремнии ширина запрещенной зоны сравнительно невелика и поэ-тому выделяемая при рекомбинации энергия передается в основном кристаллической решетке в виде тепла. Рассмотрим работу обычного p-n перехода при подаче на него импульсного напряжения. Сравнивая характеристики кремниевого и германиевого диодов, можно сделать вывод, что в p-n-переходах кремниевого диода прямой и обратный токи меньше, чем в германиевом диоде при одинаковых значениях напряжения на выводах.

Конструкция полупроводникового диода мысль

Эта ЭДС уменьшает высоту потенциального барьера, вызывая тем самым увеличение диффузионной составляющей тока. Это универсальные диоды, которые могут быть детекторными, модуляторными, импульсными при достаточных длительностях импульса, и даже выпрямительными при малых токах нагрузки. Неполное обеднение этих слоев при обратном смещении приводит к увеличению обратного сопротивления потерь диодов.

Конструкция полупроводникового диода уважуха блоггер

При обратном смещения ее можно представить в виде последовательно соединенных сопротивления и емкости. График прямого включения нарисован в первом квадранте. В качестве низкоомных р- и n-областей используются низкоомные подложки кремния, тонкие эпитаксиальные, диффузионные или ионно-легированные слои.


Раздел: Технологии

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
9 июля 2017 г. 14:15:26

Людмила

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
Автор, прочти комменты, все в спаме

<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
17 июля 2017 г. 5:30:26

raigrinre

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
Вы не правы. Могу это доказать. Пишите мне в PM, обсудим.

<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
20 июля 2017 г. 4:22:21

Лонгин

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
Извините, что я Вас прерываю, но не могли бы Вы дать больше информации.

<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
21 июля 2017 г. 11:36:34

Спартак

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
Да, действительно. Это было и со мной.

<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
29 июля 2017 г. 0:48:11

Анфиса

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
Да, я вас понимаю.

<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
2 августа 2017 г. 8:51:20

Горислава

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
Как-то не канет

<
  • 0 комментариев
  • 0 публикаций
10 августа 2017 г. 13:16:37

Гордей

  • Группа: Гости
  • Регистрация: --
  • Статус:
 
По моему мнению Вы не правы. Предлагаю это обсудить.

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.

Календарь новостей

«    Июль 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
2627282930 
 
 

Опрос

Оцените работу движка

 
 
 

Друзья проекта


DataLife Engine - Softnews Media Group

Copyright © © Май 2018 http://salonvirtual.ru Media Group All Rights Reserved.
Powered by DataLife Engine © 2014